场效应管(MOSFET)IRF4468PbF IR_深圳市宏远芯能电子科技有限公司

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深圳市宏远芯能电子科技有限公司

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营业执照：已审核

经营模式：

所在地区：广东深圳

企业网站：
www.hyxndq.com

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场效应管(MOSFET)IRF4468PbF IR

型号/规格：

IRF4468PbF

品牌/商标：

封装形式：

TO-220AB

环保类别：

普通型

安装方式：

直插式

包装方式：

散装

功率特征：

大功率

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产品信息

属性	参数值
商品目录	场效应管(MOSFET)
类型	N沟道
漏源电压(Vdss)	100V
连续漏极电流(Id)	195A
功率(Pd)	520W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	2.6mΩ@10V,180A
阈值电压(Vgs(th)@Id)	4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)	540nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)	19.86nF@50V
工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)

规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 195A（Tc）
驱动电压（ZUI大 Rds On，ZUI小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（ZUI大值） 2.6 毫欧 @ 180A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（ZUI大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（ZUI大值） 540nC @ 10V
Vgs（ZUI大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ZUI大值） 19860pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（ZUI大值） 520W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔

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